报告时间:11月2日(星期一)16:00
报告地点:信息楼3044am永利集团3044noc310报告厅
报 告 人:王雷敏,3044am永利集团3044noc副教授
报告题目:忆阻及忆阻系统理论与应用
内容简介:忆阻器,全称记忆电阻器(Memristor)。它是表示磁通与电荷关系,除电阻、电容和电感外的第四种基本电路器件。忆阻具有非线性、纳米尺寸、功耗低、断电非易失性等优点。此外,忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最佳选择之一,基于忆阻的神经网络能够很好地模拟人脑的工作机制,是类脑智能领域的研究热点。本报告首先介绍忆阻背景、基于忆阻的混沌电路和基于忆阻的递归神经网络,其次介绍忆阻系统在保密通讯、联想记忆等领域的应用,最后简要介绍美国留学生活。
报告人简介:王雷敏,3044am永利集团3044noc3044am永利集团3044noc副教授,博士生导师,3044am永利集团3044noc地大学者-青年拔尖人才,IEEE/自动化学会会员,TCCT会员。现担任3044am永利集团3044noc自动控制系党支部书记兼副主任。2016年06月于华中科技大学3044am永利集团3044noc(现人工智能与3044am永利集团3044noc)获工学博士学位,2016年07月入职中国地质大学3044am永利集团3044noc。目前主要研究方向为神经网络理论及应用,忆阻及忆阻系统,有限时间控制等。在神经网络及多智能体相关优化算法与应用,忆阻神经网络,基于忆阻的深度学习等领域开展前沿研究。近3年主持国家自然科学基金面上项目和青年项目各1项,中央高校杰出人才培育基金项目1项。在IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems, IEEE Transactions on Fuzzy Systems, IEEE Transactions on Cybernetics, Neural Networks 等神经网络、人工智能和自动控制领域相关国际顶级学术期刊发表论文三十余篇。发表论文Google学术引用1000余次、H指数18,入选ESI前1%高被引论文3篇。申请发明专利3项,获批软件著作权4项。